IR产品选型指南(不错)

对各种IR系列的MOS管的参数都有详细的介绍。

HEXFET® 功率MOSFET

漏-源极击穿电压V(BR)DSS(V)

@25℃连

高温连续漏最大热阻

续漏极电

极电流ID(A)RΘ(℃/W)

流ID(A)功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(SMPS)的整

管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时

型号

通态电阻RDS(Ω)

VGS(V)N沟道分立的HEXFET功率MOSFETIRL3716IRL3716LIR3716SIRF6601IRF3711IRF3711LIRF3711SIRF7456PRFR3711IRFU3711IRF7457IRF3502IRF3502SIRF3706IRF3706LIRF3706SIRF3704IRF3704LIRF3704SIRFR3706IRFU3706IRFR3704IRFU3704IRF7459IRF7460IRL3402IRL3402SIRL3102IRL3102LIRL3715IRL3715LIRL3715SIRLR3715IRLU3715200.004200.004200.004200.005200.065200.065200.065200.065200.065200.065200.007200.007200.007200.0085200.0085200.0085200.009200.009200.009200.009200.009200.0095200.0095200.01200.01200.01200.01200.013200.013200.014200.014200.014200.014200.014

4.51804.51804.51804.5261011010110101101016101101011010154.51104.51101077107710771064106410641075107510621062101010104.5854.5854.5614.561105410541054105410

54

130@100℃130@100℃130@100℃20@70℃69@100℃69@100℃69@100℃10@70℃69@100℃69@100℃12@70℃67@100℃67@100℃54@100℃54@100℃54@100℃54@100℃54@100℃54@100℃53@100℃53@100℃52@100℃52@100℃8@70℃8@70℃54@100℃54@100℃39@100℃39@100℃38@100℃38@100℃38@100℃38@100℃38@100℃

0.720.720.7231.041.041.04501.041.04500.890.891.71.71.71.71.71.71.71.71.71.750501.11.11.41.42.12.12.12.12.1

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